Micron demonstra módulo DDR5 de 512GB a 9200 MT/s

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Micron demonstra módulo DDR5 de 512GB a 9200 MT/s
Tecnologia

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A Micron demonstrou o RDIMM DDR5 de 512GB mais rápido do mundo, atingindo velocidades de até 9.200 MT/s e usando embalamento de interconexão vertical com vias através do silício (TSV) para empilhar dies de DRAM. O módulo é validado pela AMD e pela Intel e pode viabilizar até 12TB de DDR5 em um único servidor dual-socket de 24 slots, visando IA, análises, bancos de dados em memória e cargas de trabalho de simulação. A Micron afirma que o RDIMM de 512GB reduz o consumo operacional em mais de 60% em relação aos RDIMMs de 128GB, e pode oferecer até 1,4 vezes mais desempenho em cargas de trabalho de Spark SVM limitadas pela memória, em comparação com configurações de 256GB, melhorando a taxa de transferência para plataformas de cache e bancos de dados.

RDIMM DDR5 de 512GB oferece 9200 MT/s e viabiliza até 12TB por servidor

Contexto

Cargas de trabalho de IA e dados exigem mais memória e largura de banda. A Micron desenvolveu um módulo DDR5 de 512GB usando empilhamento vertical e TSVs. A AMD e a Intel estão validando-o e a implantação em servidores pode ocorrer em…

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