美光展示 9200 MT/s 的 512GB DDR5 模块
正面阅读时间 4 分钟AI 生成的摘要
科技
美光展示了全球首款达到 9,200 MT/s 的 512GB DDR5 RDIMM，采用垂直互连封装与通过硅穿层通孔（TSV）来堆叠 DRAM 芯片。该模块已获得 AMD 与 Intel 的验证，能够在单一 24 插槽双插座服务器中实现高达 12TB 的 DDR5，面向 AI、分析、内存数据库和仿真等工作负载。美光表示，与四个 128GB RDIMM 相比，512GB RDIMM 的运行功耗降低超过 60%，并且在内存瓶颈的 Spark SVM 工作负载上，可以提供相较于 256GB 配置高出约 1.4 倍的性能，从而提升缓存和数据库平台的吞吐量。
512GB DDR5 RDIMM 可实现 9200 MT/s，并支持每服务器最高 12TB 的容量
背景
AI 与数据工作负载需要更多内存与带宽。美光基于垂直堆叠与 TSV 构建了 512GB DDR5 模块。AMD 与 Intel 正在验证，服务器部署有望紧随其后。
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