Micron демонстрирует модуль DDR5 на 512 ГБ на скорости 9200 MT/с
Micron продемонстрировала первый в мире DDR5 RDIMM на 512 ГБ, достигающий скорости до 9 200 MT/с и использующий вертикальное упаковочное соединение с TSV для укладки DRAM-чипов. Модуль верифицирован AMD и Intel и может обеспечить до 12 ТБ DDR5 в одном 24-слотовом двусокетном сервере, ориентирован на ИИ, аналитические задачи, базы данных в памяти и симуляционные нагрузки. Micron заявляет, что RDIMM на 512 ГБ снижает потребляемую мощность более чем на 60% по сравнению с четырьмя RDIMM на 128 ГБ и может обеспечить до 1,4-кратного увеличения производительности на память-зависимых рабочих нагрузках Spark SVM по сравнению с конфигурациями 256 ГБ, повышая пропускную способность для кэширования и платформ баз данных.
DDR5 RDIMM на 512 ГБ достигает 9200 MT/с и позволяет до 12 ТБ на сервер
Контекст
Задачи ИИ и обработки данных требуют большего объема памяти и пропускной способности. Micron разработала модуль DDR5 на 512 ГБ с использованием вертикального укладывания и TSV. AMD и Intel валидируют решение, развертывание на серверах…
Полный анализ
19 параметров этой новости — мировое влияние, оценка рынка и что будет дальше.
- Полный контекстЗаблокировано
- Затронутые отраслиЗаблокировано
- Влияние на биржуЗаблокировано
- Экономический показательЗаблокировано
- Значимость для инвесторовЗаблокировано
- Профессиональная значимостьЗаблокировано
- На что обратить вниманиеЗаблокировано
- Вероятность измененийЗаблокировано
- Спорные моментыЗаблокировано
- Необходимые базовые знанияЗаблокировано
- Вопросы для дальнейшего изученияЗаблокировано
- Плюсы и минусыЗаблокировано