Micron demuestra módulo DDR5 de 512 GB a 9200 MT/s
Micron ha demostrado el primer RDIMM DDR5 de 512 GB del mundo que alcanza velocidades de hasta 9.200 MT/s y usa un embalaje de interconexión vertical con vías a través de silicio para apilar dies de DRAM. El módulo está validado por AMD e Intel y puede habilitar hasta 12 TB de DDR5 en un único servidor dual-socket de 24 ranuras, orientado a IA, análisis, bases de datos en memoria y cargas de trabajo de simulación. Micron afirma que el RDIMM de 512 GB reduce el consumo operativo en más del 60% frente a cuatro RDIMMs de 128 GB, y puede ofrecer hasta 1,4 veces más rendimiento en cargas de trabajo de Spark SVM dependientes de la memoria en comparación con configuraciones de 256 GB, mejorando el rendimiento para plataformas de caché y bases de datos.
El RDIMM DDR5 de 512 GB ofrece 9200 MT/s y permite hasta 12 TB por servidor
Contexto
Las cargas de IA y de datos requieren más memoria y ancho de banda. Micron creó un módulo DDR5 de 512 GB utilizando apilamiento vertical y TSVs. AMD e Intel lo están validando y la implementación en servidores podría seguir.
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