La CXMT de China inicia la producción comercial de G5 DRAM
ChangXin memory Technologies ha iniciado la producción comercial de una plataforma DRAM de quinta generación (G5) y anunció dos componentes LPDDR5X de 24 gigabits para dispositivos portátiles. CXMT afirma que el proceso G5 proporciona al menos un 50 por ciento más de dies brutos por oblea en una base de equivalente a 8 gigabits y utiliza un cuádruple enmascaramiento para alcanzar una media-pista activa de 11,95 nanómetros. La firma ascendió al cuarto lugar en la cuota de ingresos de DRAM con un 9,5 por ciento en el segundo trimestre y está explorando una línea de investigación en Beijing para NAND flash, aunque no se ha establecido un calendario comercial.
La plataforma G5 ofrece al menos un 50 por ciento más de dies brutos por oblea
Contexto
CXMT llevó su arquitectura G5 a producción en volumen tras etapas de proceso previas. La oferta global de DRAM es ajustada y los líderes se concentran en productos para servidores y de gran ancho de banda. CXMT podría ganar más pedidos y…
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